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Tunable Non-Markovianity for Bosonic Quantum Memristors
Indexado
WoS WOS:000998088600001
Scopus SCOPUS_ID:85160571599
DOI 10.3390/E25050756
Año 2023
Tipo artículo de investigación

Citas Totales

Autores Afiliación Chile

Instituciones Chile

% Participación
Internacional

Autores
Afiliación Extranjera

Instituciones
Extranjeras


Abstract



We studied the tunable control of the non-Markovianity of a bosonic mode due to its coupling to a set of auxiliary qubits, both embedded in a thermal reservoir. Specifically, we considered a single cavity mode coupled to auxiliary qubits described by the Tavis–Cummings model. As a figure of merit, we define the dynamical non-Markovianity as the tendency of a system to return to its initial state, instead of evolving monotonically to its steady state. We studied how this dynamical non-Markovianity can be manipulated in terms of the qubit frequency. We found that the control of the auxiliary systems affects the cavity dynamics as an effective time-dependent decay rate. Finally, we show how this tunable time-dependent decay rate can be tuned to engineer bosonic quantum memristors, involving memory effects that are fundamental for developing neuromorphic quantum technologies.

Revista



Revista ISSN
Entropy 1099-4300

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Disciplinas de Investigación



WOS
Physics, Multidisciplinary
Scopus
Information Systems
Electrical And Electronic Engineering
Mathematical Physics
Physics And Astronomy (Miscellaneous)
SciELO
Sin Disciplinas

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Publicaciones WoS (Ediciones: ISSHP, ISTP, AHCI, SSCI, SCI), Scopus, SciELO Chile.

Colaboración Institucional



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Autores - Afiliación



Ord. Autor Género Institución - País
1 Tang, Jia Liang - Shanghai University - China
Shanghai Univ - China
2 Alvarado Barrios, Gabriel - Kipu Quantum - Alemania
2 Barrios, Gabriel Alvarado Hombre Kipu Quantum - Alemania
2 Alvarado Barrios, Gabriel - Kipu Quantum - Alemania
3 Solano, Enrique Hombre Kipu Quantum - Alemania
4 Albarran-Arriagada, Francisco Hombre Universidad de Santiago de Chile - Chile
Center for the Development of Nanoscience and Nanotechnology - Chile
Centro para el Desarrollo de la Nanociencia y la Nanotecnologia - Chile

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Financiamiento



Fuente
National Natural Science Foundation of China
NSFC
STCSM
ANID Proyecto Basal
ANID Subvencion a la Instalacion en la Academia

Muestra la fuente de financiamiento declarada en la publicación.

Agradecimientos



Agradecimiento
The authors acknowledge the financial support from NSFC (12075145), STCSM (Grants No. 2019SHZDZX01-ZX04), ANID Subvención a la Instalación en la Academia SA77210018, ANID Proyecto Basal AFB 220001.
The authors acknowledge the financial support from NSFC (12075145), STCSM (Grants No. 2019SHZDZX01-ZX04), ANID Subvencion a la Instalacion en la Academia SA77210018, ANID Proyecto Basal AFB 220001.

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