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On the effect of structural disorders on the Urbach's tails of ternary chalcopyrite semiconductors and related ordered defect compounds
Indexado
WoS WOS:000515689000040
Scopus SCOPUS_ID:85078440961
DOI 10.1063/1.5131636
Año 2020
Tipo artículo de investigación

Citas Totales

Autores Afiliación Chile

Instituciones Chile

% Participación
Internacional

Autores
Afiliación Extranjera

Instituciones
Extranjeras


Abstract



The effect of structural disorders on the Urbach's tails (UTs) in the optical absorption spectra in (CuBC2VI)-C-III, (CdBC2V)-C-IV ternary chalcopyrite semiconductors and other related (CuB3C5VI)-C-III, (CuB5C8VI)-C-III, and (Cu3B5C9VI)-C-III ordered defect compounds (ODCs) is studied. Analysis of UT in such a large number of ternary compounds with the adjustable parameters P and N permits us to have a better understanding of their physical importance. These parameters are used to explain the variation of Urbach's energy E-U with temperature T. They take into account the basic effect of substitutional disorder caused by molecularity and deviation from stoichiometry and also the handicap in the thermal weight due to the distribution of the resulting additional phonon modes, respectively. They play an important role in determining quantitatively the presence of structural defects. P explains quite well higher values of h nu(p) observed in multinary compounds, and N indicates when an order-disorder phase transition could occur in these materials. It is also found that the energy of phonons involved in the formation of the photon absorption edge h nu(p) in ODCs is higher than that observed in normal (CuBC2VI)-C-III chalcopyrite compounds and increases linearly as the effective cation radius r(eff) increases in the sequence (CuB5C8VI)-C-III -> (CuB3C5VI)-C-III -> (Cu3B5C9VI)-C-III . The analysis also suggests that the magnitude of these parameters can be very useful in device applications of these materials such as solar cells and thermoelectric power generation. Published under license by AIP Publishing.

Revista



Revista ISSN
Journal Of Applied Physics 0021-8979

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Disciplinas de Investigación



WOS
Physics, Applied
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Publicaciones WoS (Ediciones: ISSHP, ISTP, AHCI, SSCI, SCI), Scopus, SciELO Chile.

Colaboración Institucional



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Autores - Afiliación



Ord. Autor Género Institución - País
1 Wasim, S. M. Hombre Universidad de Los Andes, Chile - Venezuela
2 Marin, G. Hombre Universidad de Los Andes, Chile - Venezuela
MIRO - Chile
Instituto Milenio de Investigación en Óptica - Chile
3 Marquez, Rigoberto Hombre Universidad de Los Andes, Chile - Venezuela
4 Rincon, Carlos Hombre Universidad de Los Andes, Chile - Venezuela

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Financiamiento



Fuente
FONACIT Venezuela
CDCHTA-ULAMerida, Venezuela

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Agradecimientos



Agradecimiento
This work was supported by grants from CDCHTA-ULAMerida, Venezuela (Contract Nos. C-917-98-05A, C-918-98-05E, and C-969-99-08-B) and FONACIT Venezuela (Grant No. LAB-97000821).

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